SSD NAND
SSD adalah singkatan dari Solid State Drive dimana ini adalah teknologi media penyimpanan yang baru menggunakan sirkuit yang terintegrasi (cell) bukan lagi cakram magnetis seperti harddisk pada umumnya.
SSD memiliki beberapa kelebihan daripada harddisk konvensional yaitu waktu akses yang lebih cepat, tidak memilki noise karena tidak ada komponen yang bergerak, lebih kebal terhadap guncangan dan getaran, lifetime yang lebih lama dibanding harddisk konvensional, serta lebih ringan.
SSD NAND adalah salah satu arsitektur dari SSD. SSD NAND menggunakan tatanan dimana beberapa transistor terhubung secara serial. SSD NAND menyimpan data dalam sebuah array dari memori cell yang terbuat dari floating-gate transistor. Terisolasi dengan sebuah lapisan oksida terdapat 2 buah gate yaitu Control Gate(CG) dan Floating Gate(FG). Dan elektron secara bebas bergerak antara CG dan Channel.
Untuk membuat sebuah cell(menyimpan data ke ), voltase listrik dialirkan ke CG membuat elektron bergerak ke atas dan FG yang secara elektris terisolasi menangkap elektron yang lewat. Dan elektron tersebut dapat bertahan di FG hingga tahunan selama dalam keadaan normal. Dan untuk menghapus sebuah cell, voltase listrik dialirkan ke sisi Channel sehinggan menarik elektron ke bawah atau kembali ke Channel. Dan untuk mengecek status dari cell, voltase listrik tinggi dialirkan ke CG. Jika FG menangkap listrik tersebut, maka ambang volatse diubah, memengaruhi sinyal yang muncul dari CG ke Channel.
ref:
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/global/html/whitepaper/whitepaper03.html
http://en.wikipedia.org/wiki/Solid-state_drive#Flash_memory-based
Untuk membuat sebuah cell(menyimpan data ke ), voltase listrik dialirkan ke CG membuat elektron bergerak ke atas dan FG yang secara elektris terisolasi menangkap elektron yang lewat. Dan elektron tersebut dapat bertahan di FG hingga tahunan selama dalam keadaan normal. Dan untuk menghapus sebuah cell, voltase listrik dialirkan ke sisi Channel sehinggan menarik elektron ke bawah atau kembali ke Channel. Dan untuk mengecek status dari cell, voltase listrik tinggi dialirkan ke CG. Jika FG menangkap listrik tersebut, maka ambang volatse diubah, memengaruhi sinyal yang muncul dari CG ke Channel.
ref:
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/global/html/whitepaper/whitepaper03.html
http://en.wikipedia.org/wiki/Solid-state_drive#Flash_memory-based
Langganan:
Posting Komentar
(
Atom
)
Tidak ada komentar :
Posting Komentar